LATEST
All Blacks v England: Three England returnees likely to start at Twickenham গোপালগঞ্জে আ.লীগ অরাজকতা করলে কঠোর হবে সরকার বাংলাদেশের রপ্তানিতে ১৭ দশমিক ৫ বিলিয়ন ডলার ক্ষতির আশঙ্কা বাণিজ্যমন্ত্রীর বিদ্যুৎ উৎপাদনে তুরস্কের মডেলে এগোতে পারে বাংলাদেশ UK TV star Jeremy Edwards says David Walliams ‘sexually humiliated’ him during sketch on stage ১ লাখ ৬৫ হাজার কর্মী নেবে ইতালি, যেভাবে আবেদন করবেন Oil supertanker ‘sinks after hitting mine’ in Strait of Hormuz Puppy blues: Mark Vette on why new owners regret getting a puppy and how to cope
Education

Samsung HBM packaging প্ল্যান্ট এক বছর এগিয়ে চালু হবে ২০২৮ সালের জুনে

Samsung HBM packaging প্ল্যান্ট এক বছর এগিয়ে চালু হবে ২০২৮ সালের জুনে

নতুন Samsung HBM packaging প্ল্যান্ট ২০২৮ সালের জুনে চালু হবে বলে ১২ নভেম্বর এক উপস্থাপনায় জানিয়েছে স্যামসাং ইলেকট্রনিকস, যা আগের পরিকল্পনার চেয়ে এক বছর আগে। AI server memory-র দ্রুত বাড়তে থাকা চাহিদা মেটাতে এই সিদ্ধান্ত নেওয়া হয়েছে।

দক্ষিণ কোরিয়ার Asan শহরে স্যামসাংয়ের Onyang ক্যাম্পাসে ১২ নভেম্বর প্রকল্পের ভিত্তিপ্রস্তর স্থাপন অনুষ্ঠান হয়। অনুষ্ঠানে দেশটির প্রেসিডেন্ট লি জে মিয়ং উপস্থিত ছিলেন।

প্রেসিডেন্ট লি জানান, HBM chip packaging প্ল্যান্টে স্যামসাংয়ের ৬ ট্রিলিয়ন ওন (প্রায় ৪৪৮ কোটি ডলার) বিনিয়োগের পর আরও প্রায় ৪০ ট্রিলিয়ন ওন উন্নত যন্ত্রপাতিতে বিনিয়োগ হবে। সব মিলিয়ে Onyang প্রকল্পে বিনিয়োগ দাঁড়াচ্ছে ৪৬ ট্রিলিয়ন ওন।

স্যামসাংয়ের উপস্থাপনা অনুযায়ী, নতুন প্ল্যান্টে তিন তলাজুড়ে প্রায় ৩১ হাজার বর্গমিটার clean room থাকবে। সরকার semiconductor, physical AI ও AI data centre-কেন্দ্রিক বড় প্রকল্পে স্যামসাং ও SK Hynix-সহ কয়েকটি প্রতিষ্ঠানকে যুক্ত করেছে।

স্যামসাং চেয়ারম্যান লি জে ইয়ং অনুষ্ঠানে বলেন, সাধারণ chip assembly ও testing-এর জায়গা থেকে এই স্থানটি AI semiconductor-এর প্রাণকেন্দ্র হিসেবে একটি ‘cutting-edge HBM hub’-এ রূপ নেবে। তিনি প্রেসিডেন্টকে Onyang-এ HBM4E ব্যাপকভাবে উৎপাদনের পরিকল্পনার কথাও জানান। অনুষ্ঠানে স্যামসাং নতুন memory chip HBM4E-এর একটি মডেলও প্রদর্শন করে, এবং প্রেসিডেন্ট লি প্রদর্শনীতে স্বাক্ষর করেন।

স্যামসাংয়ের পরিকল্পনা অনুযায়ী ২০২৭ সালের প্রথমার্ধে HBM4E-এর ব্যাপক উৎপাদন শুরু হবে। Onyang প্ল্যান্ট শুরু থেকেই HBM4E উৎপাদনে নেতৃত্ব দেবে বলে আশা করছে স্যামসাং। ২০২৮ সালে HBM5-এর ব্যাপক উৎপাদন শুরু হবে বলে আশা করা হচ্ছে।

Cheonan ক্যাম্পাসে ২ লাখ ৮০ হাজার বর্গমিটারের একটি HBM packaging প্ল্যান্ট সম্প্রসারণের পরিকল্পনাও রয়েছে, যার কাজ ২০২৭ সালের শেষ নাগাদ শেষ করার লক্ষ্য। Giheung, Hwaseong ও Pyeongtaek-এর DRAM কেন্দ্রগুলোর সঙ্গে সমন্বয় করে HBM4, HBM4E ও HBM5-এর উৎপাদন সক্ষমতা বাড়াবে স্যামসাং। Chungcheong অঞ্চলে মোট ১৪৪ ট্রিলিয়ন ওন বিনিয়োগের ঘোষণা দিয়েছে স্যামসাং, যা জুলাইয়ের ঘোষণার চেয়ে ৪ ট্রিলিয়ন ওন বেশি।

HBM3E-তে SK Hynix-এর কাছে নেতৃত্ব হারিয়েছিল স্যামসাং। ২০২৬ সালের দ্বিতীয় কোয়ার্টারে HBM বাজারে স্যামসাংয়ের শেয়ার ছিল ৩৩ শতাংশ, যেখানে SK Hynix-এর ছিল ৫০ শতাংশ। তৃতীয় কোয়ার্টারে স্যামসাংয়ের শেয়ার ৩০ শতাংশের শেষ ভাগে উঠলেও দুই প্রতিষ্ঠানের ব্যবধান এখনো প্রায় ১০ শতাংশ পয়েন্ট।

গবেষণা প্রতিষ্ঠান TrendForce-এর পূর্বাভাস অনুযায়ী, আগামী বছর HBM-এর গড় বিক্রয়মূল্য এ বছরের তুলনায় ১২১ শতাংশ বাড়তে পারে। HBM4 বাজারে আসার ফলে এই দাম বাড়বে বলে ধারণা করা হচ্ছে, আর HBM4E-এর দাম HBM4-এর দ্বিগুণ হতে পারে।

HBM বা High Bandwidth Memory হলো একাধিক DRAM স্তর একটির ওপর আরেকটি সাজিয়ে তৈরি memory, যা সাধারণত GPU ও বিভিন্ন accelerator-এ ব্যবহৃত হয়। SK Hynix, স্যামসাং ও Micron বিশ্বের বড় HBM নির্মাতা বলে HBM প্রযুক্তির বিবরণে উল্লেখ রয়েছে।

The post Samsung HBM packaging প্ল্যান্ট এক বছর এগিয়ে চালু হবে ২০২৮ সালের জুনে appeared first on ZoomBangla.

More in Education

View all

Latest news